LED外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和SiC、Si)上，將氣態物質有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
LED外延片襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。
